امروز: سه شنبه 3 مهر 1397
دسته بندی محصولات
بخش همکاران
بلوک کد اختصاصی

پاورپوینت افزاره های غیر فعال

پاورپوینت افزاره های غیر فعال دسته: پاورپوینت
بازدید: 1 بار
فرمت فایل: ppt
حجم فایل: 3117 کیلوبایت
تعداد صفحات فایل: 72

دانلود پاورپوینت افزاره های غیر فعال بررسی افزاره های غیر فعال پاورپوینت جامع و کامل افزاره های غیر فعال کاملترین پاورپوینت افزاره های غیر فعال پکیج پاورپوینت افزاره های غیر فعال مقاله افزاره های غیر فعال تحقیق افزاره های غیر فعال

قیمت فایل فقط 22,000 تومان

خرید

نوع فایل: پاورپوینت (قابل ویرایش)

 قسمتی از متن پاورپوینت :

تعداد اسلاید : 72 صفحه


افزاره های غیر فعال

نمای کلی فصل 7: فصل 7: افزاره های غیر فعال ساختار های سلف
سلف های متقارن
اثر لایه محافظ زمین شده
سلف های حلقوی پشته ای سلف ها
ساختار پایه
معادلات اندوکتانسی
خازن های پارازیتی
مکانیسم تلفات
مدل سازی سلف خازن های متغیر
پیوند های PN
خازن های متغیر MOS
مدل سازی خازن متغیر ترانسفورماتور ها
ساختار ها
اثر خازن تزویج
مدل سازی ترانسفورماتورها دلیل ساخت سلف به صورت مجتمع : فصل 7:افزاره های غیرفعال در صورت استفاده از سلف خارج از تراشه :
تزویج بین سیمک های اتصال با دنیای بیرون از تراشه

ایجاد المان های پارازیتی که در فرکانس های بالا مهم خواهند شد نیاز به تعداد زیادی سلف در مدارات RF
ساختار پایه CH 7 Passive Devices
4
وجود تزویج متقابل بین هر دو دور باعث میشود که سلف های حلقوی اندوکتانس بیشتری نسبت به خطوط مستقین با همان طول داشته باشند.

برای حداقل کردن مقاومت های سری و خازن های پارازیتی سلف های حلقوی در بالا ترین لایه فلزی ساخته میشوند ( که ضخیم ترین لایه ها هستند ). اندوکتانس سلف حلقوی با N دور : CH 7 Passive Devices
5 اندوکتانس یک سلف حلقوی با N دور دارای جمله خواهد بود .


دو عامل نرخ رشد بر حسب تابعی از N را محدود میکند :

حلقه های درونی کوچکترند و در نتیجه دارای اندوکتانس کمتری هستند .

ضریب تزویج متقابل برای دورهای مجاور تنها حدود 7. است و برای دور های غیر مجاور کاهش می یابد .

تاثیر هندسه سلف بر اندوکتانس CH 7 Passive Devices
6 یک سلف حلقوی مربعی دو بعدی توسط 4 کمیت مشخص می گردد:

ابعاد بیرونی ِDout
تعداد دور ها N
پهنای خط W
فاصله خطوط S

CH 7 Passive Devices
7 این کار باعث کاهش قطر دور های داخلی میشود که موجب کاهش اندوکتانس خواهد شد .
افزایش بیشتر W ممکن است که باعث کاهش دورها شود و اندوکتانس را کم کند .

تاثیر دو برابر کردن پهنای خط بر اندوکتانس CH 7 Passive Devices
8 بهتر است قطری 5تا 6 برابر W برای حفره داخلی انتخاب شود .

هدف: کمینه کردن ضریب تزویج مغناطیسی بین اضلاع روبروی داخلی ترین دور. نمودار ضریب تزویج مغناطیسی بین دو خط مستقیم ساختار های مختلف سلف CH 7 Passive Devices

8 ضلعی متقارن پشته ای با لایه محافظ زمین شده حلقه های موازی دایره ای تنوع این ساختار ها نشان دهنده تلاش های بسیار زیاد طراحان برای بهبود تقابل های موجود در طراحی سلف هاست (برای مثال تقابل بین ضریب کیفیت و مقدار خازن یا بین اندوکتانس و ابعاد )


CH 7 Passive Devices
10
معدلات اندوکتانس معادلاتی که با اساس برازش منحنی یا بر اساس ویژگی فیزیکی سلف ها هشتند
این فرمول برای سلف های 5nH تا 50nH کمتر از 10% خطا دارد .

:Am مساحت فلز,
:Atot مساحت کل سلف
CH 7 Passive Devices
11
خازن های پارازیتی سلف های مجتمع سلف های حلقوی دارای مشکل خازن های پارازیتی هستند :
خازن های صفحه موازی و خازن های لبه به بستر
خازن های لبه های مجاور

خازن های صفحه پاینی خازن های میان دوری CH 7 Passive Devices
12
تقریب خازن های پارازیتی

مدل خازن توزیع شده به زمین برای سادگی محاسبات دو فرض داریم:
هر دو بخش سلف دارای تزویج متقابل M هستند
تزویج به اندازه کافی قوی است که M را تقریبا با Lu uبرابر فرض کرد . ولتاژ بر روی هر بخش از سلف CH 7 Passive Devices


توجه: متن بالا فقط قسمت کوچکی از محتوای فایل پاورپوینت بوده و بدون ظاهر گرافیکی می باشد و پس از دانلود، فایل کامل آنرا با تمامی اسلایدهای آن دریافت می کنید.

قیمت فایل فقط 22,000 تومان

خرید

برچسب ها : دانلود پاورپوینت افزاره های غیر فعال , بررسی افزاره های غیر فعال , پاورپوینت جامع و کامل افزاره های غیر فعال , کاملترین پاورپوینت افزاره های غیر فعال , پکیج پاورپوینت افزاره های غیر فعال , مقاله افزاره های غیر فعال , تحقیق افزاره های غیر فعال

نظرات کاربران در مورد این کالا
تا کنون هیچ نظری درباره این کالا ثبت نگردیده است.
ارسال نظر